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理論 ・ 16 / 16

電子回路・増幅の基礎

読み終えると、こうなる

制御盤やセンサー回路の中にある小さなアンプIC・トランジスタ回路を見て、「何を、どれだけ拡大しているか」を数値で言い当てられるようになる

  • トランジスタの電流増幅率hFEとベース電流から、流れるコレクタ電流を計算でき、増幅度を「倍」とデシベル(dB)の間で相互に変換できる
  • オペアンプの反転増幅回路(Av=-Rf/Rin)・非反転増幅回路(Av=1+Rf/R1)それぞれの利得を抵抗値の比から計算でき、負帰還が利得を下げる代わりに安定性を高めることを説明できる。正帰還を使ったシュミットトリガ(コンパレータ)回路のヒステリシス特性も、負帰還の増幅回路と対比させて説明できる
  • 固定バイアス・電流帰還(自己)バイアス・電圧帰還バイアスの3つのバイアス方式を回路図から見分けてhFEが温度変化でばらついたときのコレクタ電流の安定度を比較でき、エミッタホロワ回路のバイアス設計(抵抗REの値)を計算し交流等価回路で入力インピーダンスがhie単体よりはるかに大きくなる理由(電流帰還)を説明できる
  • FET(電界効果トランジスタ)を使ったソース接地増幅回路の交流等価回路から、相互コンダクタンスgmと抵抗rd・RLを使って電圧増幅度を計算でき、BJTのhFEを使った電流増幅とFETのgmを使った電圧-電流変換という増幅の仕組みの違いを説明できる
考えてみよう

センサーが出す信号は、多くの場合ミリボルト単位のごくわずかな電圧変化にすぎない。 そのままでは制御盤の中のリレーもPLCの入力回路も、指一本動かせない。

なぜ増幅回路を1つ挟むだけで、そのわずかな信号が機器を動かせるほどの強さに変わるのか。 拡大するとき、回路の中では何が何倍にされているのか。

このトピックを読み終えるころには、制御盤やセンサー回路の中にある小さなアンプ回路を見て、 「何を、どれだけ拡大しているか」を数値で言い当てられるようになっている。

種明かしは、トランジスタが電流を増幅する部品であるという事実と、その増幅度を測る 「デシベル」という物差し、そして負帰還という仕組みを組み合わせた、増幅回路の設計思想にある。

トランジスタの増幅作用 — 小さな電流の変化を、大きな電流の変化に拡大する

トランジスタには3つの端子(ベース・コレクタ・エミッタ)があり、ベースに流す電流 IbI_b を 少し変化させると、コレクタに流れる電流 IcI_c がそれよりずっと大きく変化する。この比率を 電流増幅率(hFE)と呼ぶ。

Ic=hFE×IbI_c = h_{FE} \times I_b

hFEh_{FE} は数十から数百程度の値を取ることが多い。つまりベース側でμA(マイクロアンペア) オーダーのわずかな電流変化を作ってやるだけで、コレクタ側にはmA(ミリアンペア)オーダーの 大きな電流変化が現れる——これが「小さな信号で大きな電流を制御する」増幅の正体だ。

例題

hFE=100h_{FE}=100 のトランジスタに、ベース電流 Ib=20μAI_b = 20\mu\text{A} を流した。コレクタ電流 IcI_c はいくらか。

Ic=100×20μA=2000μA=2mAI_c = 100 \times 20\mu\text{A} = 2000\mu\text{A} = 2\text{mA}
単位のケタで検算できる。$I_b$ はμA(100万分の1アンペア)オーダー、$I_c$ はmA(1000分の1アンペア) オーダーになっているはずだ。もし計算結果が逆($I_b$ の方が大きい)になったら、 $I_c = h_{FE} \times I_b$ の掛ける相手を取り違えている。

増幅度の物差し — 「倍」とデシベル(dB)

増幅度は「入力の何倍か」という倍率でそのまま表せるが、実務ではデシベル(dB)という 対数の物差しで表されることも多い。電圧の増幅度 AvA_v(=出力電圧÷入力電圧)をdBで表すと、

GdB=20log10AvG_{dB} = 20\log_{10} A_v

電力の増幅度 ApA_p の場合は、

GdB=10log10ApG_{dB} = 10\log_{10} A_p

電圧の式にだけ係数2が余分に付くのは、電力が電圧の2乗に比例するからだ (PV2P \propto V^2 なので、10log10(V2)=20log10V10\log_{10}(V^2) = 20\log_{10}V となる)。

例題

電圧増幅度が10倍の増幅回路がある。この利得をデシベルで表すと何dBか。

GdB=20log1010=20×1=20dBG_{dB} = 20\log_{10}10 = 20 \times 1 = 20\text{dB}

10倍の電圧増幅度はちょうど20dBに相当する、という対応はよく使うので覚えておくと計算が速い。

オペアンプの基本 — 「仮想短絡」という近似で回路を解く

オペアンプ(演算増幅器)は、開ループ利得が非常に大きい増幅ICで、通常は出力の一部を 入力に戻す負帰還をかけて使う。負帰還をかけると、理想的なオペアンプは次の2つの 性質で近似できる。

  1. 2つの入力端子(+端子と-端子)には電流がほとんど流れ込まない
  2. 2つの入力端子の電位は、常にほぼ等しくなる(仮想短絡

この2つの性質を使うと、抵抗の比だけで増幅度を求められる。反転増幅回路(-端子側に 入力抵抗 RinR_{in}、出力との間に帰還抵抗 RfR_f を接続する構成)の電圧増幅度は、

Av=RfRinA_v = -\frac{R_f}{R_{in}}

マイナス符号は、出力の位相が入力に対して180度反転していることを表す。

例題

入力抵抗 Rin=1kΩR_{in}=1\text{k}\Omega、帰還抵抗 Rf=10kΩR_f=10\text{k}\Omega の反転増幅回路の 電圧増幅度の大きさはいくらか。

Av=10kΩ1kΩ=10|A_v| = \frac{10\text{k}\Omega}{1\text{k}\Omega} = 10\text{倍}
「+端子を接地すると-端子も見かけ上0Vになる」という仮想短絡は、直感に反して感じやすい。 +端子と-端子は電気的に直接つながっていないのに、なぜ同じ電位になるのか——理由は、 オペアンプの開ループ利得がきわめて大きいため、2つの入力端子にわずかでも電位差が生じると 出力が瞬時に振り切れてしまい、それを防ぐように負帰還がかかって電位差をほぼゼロに保つからだ。 この「ほぼゼロに保たれた状態」が仮想短絡であり、反転増幅回路の利得の式はここから導かれる。

非反転増幅回路 — 位相を反転させずに増幅する

反転増幅回路は入力信号を-端子に入れていたが、+端子に入力信号を入れる構成もある。 これが非反転増幅回路で、-端子とグラウンドの間に抵抗R1R_1、-端子と出力の間に 帰還抵抗RfR_fを接続する。

+端子には入力電圧VinV_{in}がそのまま加わる。仮想短絡により-端子の電位もVinV_{in}に 等しくなり、-端子には電流が流れ込まないので、R1R_1RfR_fは出力からグラウンドへ向かう 1本の直列回路(分圧回路)とみなせる。VinV_{in}は、この分圧回路がR1R_1の両端に作る 電圧そのものだから、

Vin=Vout×R1R1+RfAv=VoutVin=1+RfR1V_{in} = V_{out}\times\frac{R_1}{R_1+R_f} \quad \Longrightarrow \quad A_v = \frac{V_{out}}{V_{in}} = 1+\frac{R_f}{R_1}

反転増幅回路の式(Av=Rf/RinA_v=-R_f/R_{in})と違い、非反転増幅回路の利得には必ず「+1」が 付き、符号もマイナスにならない。出力の位相は入力と同じ(反転しない)。

例題

R1=4kΩR_1=4\text{k}\OmegaRf=36kΩR_f=36\text{k}\Omegaの非反転増幅回路に、入力電圧 Vin=0.2VV_{in}=0.2\text{V}を+端子に加えた。出力電圧VoutV_{out}はいくらか。

Av=1+364=10,Vout=10×0.2=2VA_v = 1+\frac{36}{4} = 10, \qquad V_{out} = 10\times0.2 = 2\text{V}
反転増幅(Av=-Rf/Rin)と非反転増幅(Av=1+Rf/R1)は、同じ抵抗値を使っても利得の大きさ そのものが違う(非反転の方が必ず1だけ大きい)。信号がオペアンプの+端子と-端子の どちらに入っているかをまず確認し、それぞれ専用の式を使い分ける習慣をつけたい。

負帰還 — 利得を犠牲にして、安定性を手に入れる

負帰還(NFB)とは、出力の一部を逆位相で入力側に戻す仕組みだ。入力を弱める方向に働くため、 利得は必ず下がる。その代わりに、次のような「質」の向上が得られる。

  • 温度変化やトランジスタ・IC個体ごとのばらつきによる特性変化が打ち消され、動作が安定する
  • 入力と出力の比例関係が崩れにくくなり、波形の歪みが小さくなる(直線性の向上)

オペアンプ回路のほぼすべてが負帰還を前提に設計されているのは、素子1個ごとの利得の ばらつきに頼らず、外付けの抵抗比だけで増幅度を正確に決められるという実務上の利点が 大きいからだ。制御盤の中でセンサーのmV単位の信号をPLCが読める電圧まで持ち上げる アンプ回路にも、この負帰還付きのオペアンプ増幅回路がよく使われている。

シュミットトリガ回路 — 帰還先を+端子に変えると、増幅回路は「2値」の回路に化ける

ここまでのオペアンプ回路は、すべて帰還抵抗を-端子(反転入力)に戻す負帰還だった。 帰還先を+端子(非反転入力)に変えると、回路の性格はまったく別物になる。これが 正帰還であり、代表的な応用がシュミットトリガ回路(コンパレータの一種)だ。

負帰還の反転増幅回路・非反転増幅回路は、入力電圧に比例した連続的な出力を返す 「線形」動作をする。一方、正帰還をかけたシュミットトリガ回路の出力は、入力電圧が あるしきい値を超えた瞬間に一気に反転し、0V付近とVcc付近の2つの状態のどちらかに 張り付く(2値動作)。しかも、入力電圧が上昇していくときに出力が反転するしきい値と、 下降していくときに反転するしきい値は異なる値になる。この性質をヒステリシスと呼ぶ。

ヒステリシスは一見ややこしい性質に思えるが、目的はシンプルだ。しきい値が1つしかない 単純な比較回路(コンパレータ)では、入力信号にわずかなノイズが乗っただけで、しきい値 付近を出力がパタパタと何度も往復してしまう(チャタリング)。上昇時と下降時でしきい値を 意図的にずらしておけば、一度反転した出力は、ノイズ程度の変動では逆方向のしきい値まで 戻らず安定する。制御盤のセンサー信号をON/OFFのデジタル信号に変換する回路に シュミットトリガがよく使われるのは、このノイズ耐性の高さが理由だ。

シュミットトリガ回路と負帰還の増幅回路を見分けるには、帰還抵抗がオペアンプの どちらの端子に戻っているかを確認すればよい。-端子への帰還なら負帰還(線形な 増幅回路)、+端子への帰還なら正帰還(2値的なシュミットトリガ回路)と、接続先の 端子だけで判別できる。

エミッタホロワ — 電圧は増幅しないが、入力インピーダンスを跳ね上げる回路

トランジスタ増幅回路には、出力をどの端子から取り出すかによっていくつかの構成がある。 ここまで扱ってきたのは出力をコレクタから取り出す構成だったが、もう1つ実務でよく使われるのが、 出力をエミッタから取り出すエミッタホロワ(コレクタ接地回路)だ。

エミッタホロワは電圧をほとんど増幅しない(電圧利得はほぼ1倍)代わりに、入力インピーダンスが 非常に高く、出力インピーダンスが非常に低いという特徴を持つ。この性質を使って、センサーなどの 弱い信号源に負荷をかけずに受け渡す「緩衝(バッファ)」の役割で使われる。

バイアス設計 — 抵抗R1・R2でベース電位を決め、REでエミッタ電流を決める

エミッタホロワの直流動作点(バイアス)は、電源電圧VCCV_{CC}を抵抗R1R_1(電源側)と R2R_2(接地側)で分圧してベース電位VBV_Bを作り、そこからベース-エミッタ間電圧 VBEV_{BE}(通常0.7V程度)を差し引いた電位がエミッタにかかる、という考え方で求める。

VB=VCC×R2R1+R2,VE=VBVBE,RE=VEIEV_B = V_{CC}\times\frac{R_2}{R_1+R_2}, \qquad V_E = V_B - V_{BE}, \qquad R_E = \frac{V_E}{I_E}

(ベース電流はR2R_2を流れる電流に比べて十分小さいものとして無視した近似)

例題

VCC=12VV_{CC}=12\text{V}R1=8kΩR_1=8\text{k}\Omega(電源側)、R2=4kΩR_2=4\text{k}\Omega(接地側) とする。動作点のエミッタ電流を1mAとしたい。抵抗RER_Eの値はいくらか。

VB=12×48+4=4V,VE=40.7=3.3V,RE=3.3V1mA=3.3kΩV_B = 12\times\frac{4}{8+4} = 4\text{V}, \qquad V_E = 4-0.7 = 3.3\text{V}, \qquad R_E = \frac{3.3\text{V}}{1\text{mA}} = 3.3\text{k}\Omega

交流等価回路 — 入力インピーダンスがhieよりはるかに大きくなる理由

エミッタホロワを交流信号の視点(hパラメータによる等価回路)で見ると、ベースから見た 入力インピーダンスは、単純なhieh_{ie}だけではなく、次の式になる。

Zin=hie+(1+hfe)REZ_{in} = h_{ie} + (1+h_{fe})R_E

hfeh_{fe}は数十〜数百程度の値を取るため、(1+hfe)RE(1+h_{fe})R_Eの項はhieh_{ie}よりはるかに大きくなる。 これは、エミッタホロワの出力(エミッタ電圧)がほぼそのままベース電圧に追従する(電圧利得≒1) ため、RER_Eを流れる電流((1+hfe)ib\fallingdotseq(1+h_{fe})i_b)による電圧降下が、ベース側から見ると 小さなベース電流ibi_bの変化に対して(1+hfe)(1+h_{fe})倍に拡大されて働く——電流帰還の効果による。

「エミッタホロワは電圧を増幅しないから、あまり役に立たない回路」と考えるのは早計だ。 むしろこの回路の価値は、$h_{ie}$を$(1+h_{fe})R_E$倍近くまで押し上げる、入力インピーダンスの 変換にある。センサー回路のように「信号源から電流をほとんど奪わずに、次の回路へ受け渡したい」 場面で、エミッタホロワが緩衝段としてよく使われるのはこのためだ。

FET増幅回路 — 電流ではなく「電圧」から出力電流への変換で増幅する

トランジスタ(BJT)の増幅は、ベース電流IbI_bhFEh_{FE}倍してコレクタ電流IcI_cを作る「電流の増幅」だった。FET(電界効果トランジスタ)を使った増幅回路は、これとは違う量で増幅の大きさを表す。ゲート電圧の変化がドレイン電流の変化にどれだけつながるかを表す相互コンダクタンスgmg_m(単位はS、ジーメンス)だ。

id=gmvgsi_d=g_m v_{gs}

FETを使ったソース接地増幅回路(ゲートに信号を入れ、ドレインから出力を取り出す構成)の簡易小信号等価回路では、ドレイン側の内部抵抗rdr_dと負荷抵抗RLR_Lが並列に見える。rdr_dRLR_Lに比べて十分大きいとき、電圧増幅度Av=vo/viA_v=|v_o/v_i|は次の式で近似できる。

AvgmRLA_v \fallingdotseq g_m R_L

rdr_dを無視できないほど小さい(あるいはRLR_Lと同程度)場合は、rdr_dRLR_Lの並列合成抵抗を使い、次のように表す。

Av=gmrdRLrd+RLA_v = \frac{g_m r_d R_L}{r_d+R_L}

例題

相互コンダクタンスgm=4mSg_m=4\text{mS}のFETを使ったソース接地増幅回路がある。負荷抵抗RL=2kΩR_L=2\text{k}\Omegaとし、ドレイン側の内部抵抗rdr_dRLR_Lに比べて十分大きく無視できるとする。電圧増幅度AvA_vはいくらか。

AvgmRL=4×103×2×103=8A_v \fallingdotseq g_m R_L = 4\times10^{-3}\times2\times10^{3}=8\text{倍}
BJTの増幅はhFE(電流÷電流、単位なしの比)で表すのに対し、FETの増幅はgm(電流÷電圧、単位はS)で表す——この単位の違いが、そのまま「BJTは電流制御、FETは電圧制御」という素子の性質の違いを表している。電圧増幅度Av=gmRLの式は、電流Id=gmVgsという定義に、オームの法則Vo=Id×RL(rdを無視した場合)を組み合わせただけのものと理解しておくと、rdが無視できない場合の式(gmrdRL/(rd+RL))にも自力で拡張できる。

バイアス回路の温度安定性 — 固定・電流帰還・電圧帰還の3方式

エミッタホロワのR1R_1R2R_2による分圧は、バイアス(直流動作点)を決める設計の一例に すぎない。一般のトランジスタ増幅回路には、バイアスの決め方によっていくつかの方式があり、 周囲温度が変わってhFEがばらついたときに、コレクタ電流Icがどれだけ変動しにくいか (安定度)が方式ごとに大きく違う。

  • 固定バイアス:ベースに抵抗RRを1本つなぎ、電源電圧VCCV_{CC}から一定のベース電流 IB=(VCCVBE)/RI_B=(V_{CC}-V_{BE})/Rを流し込むだけの、最も単純な方式。IBI_BはhFEの値と無関係に ほぼ一定のまま決まってしまうため、温度上昇でhFEが増加すると、IC=hFE×IBI_C=h_{FE}\times I_Bが そのまま増加してしまう。hFEの変化を打ち消す帰還経路がなく、安定度は最も低い。
  • 電流帰還(自己)バイアス:エミッタに抵抗RER_Eを追加する方式。hFEh_{FE}の増加で ICI_C(≒IEI_E)が増えようとすると、RER_Eの電圧降下が増えてベース-エミッタ間電圧 VBEV_{BE}を押し下げ、結果としてIBI_Bの増加を抑える向きに働く。この「ICI_Cの増加が IBI_Bを減らす」という負帰還のループが、hFEが変化してもICを安定させる。
  • 電圧帰還バイアス:コレクタ-ベース間に抵抗を接続する方式。hFEh_{FE}の増加でICI_Cが 増えようとすると、コレクタ抵抗での電圧降下が増えてコレクタ-エミッタ間電圧VCEV_{CE}が 低下し、これがベース抵抗にかかる電圧を減らしてIBI_Bを減少させる。こちらも 負帰還によってICの変化が抑えられる。
3つの方式を見分けるコツは、回路図の抵抗の本数や配置そのものではなく、「hFEが増加して ICが増えようとしたとき、それを打ち消す方向に電圧・電流が変化する経路が回路の中にあるか」 をたどることだ。エミッタ抵抗REを経由する経路があれば電流帰還バイアス、コレクタ-ベース間の 抵抗を経由する経路があれば電圧帰還バイアス、そのどちらの帰還経路もなければ固定バイアスと 判断すればよい。安定度の順位は「固定バイアス<電圧帰還バイアス・電流帰還バイアス」で、 実務の増幅回路では帰還のかからない固定バイアスは温度変化の大きい環境では避けられる ことが多い。

発振回路 — 電源だけで一定の波形を作り出す

増幅回路の出力の一部を、負帰還とは逆に同位相のまま入力へ戻す(正帰還)と、 外から信号を入れなくても回路自身が一定の周波数で振動し続ける発振回路になる。 LC発振回路はコイルとコンデンサの共振現象を利用して発振周波数を決めるが、 周囲の温度変化や部品ごとのばらつきの影響を受けやすく、発振周波数がわずかに 変動しやすいという弱点がある。

そこで、LC発振回路のコンデンサを水晶振動子(水晶を薄く切り出した部品。 電圧を加えると機械的に振動し、その振動が特定の周波数の電気信号として現れる 圧電効果を利用する)に置き換えた水晶発振回路が使われる。水晶振動子は 機械的な共振現象を使うため、LC発振回路よりも周波数安定度がけた違いに優れ、 時計やマイコンのクロック信号など、正確な周波数が求められる回路の基準として 広く使われている。

冒頭のセンサー信号が制御盤の中でどう拡大されているか、答え合わせは理解度チェックの 最後の問題でしてみよう。

出題者のワナ — ここで受験者を転ばせにくる

この論点は、知っているだけでは足をすくわれる。試験でよく仕掛けられる崩し方を、先に知っておこう。

  1. 電流増幅率hFEの式の分子分母を取り違え、Ib = hFE × Icとしてしまう

    なぜ引っかかる『増幅』という言葉から「小さい方に大きい数をかける」という向きの理解があいまいだと、Ic = hFE × Ibの掛ける対象を逆にしてしまう。

    見破り方hFEは『電流増幅率』=Ic/Ib、つまりコレクタ電流はベース電流よりhFE倍大きくなるのが増幅の本質。単位を見て、Ib(μA単位)の方がIc(mA単位)より圧倒的に小さい値になっているかを確認する。

  2. デシベル換算で、電圧の式(20log)と電力の式(10log)を混同する

    なぜ引っかかるどちらも『利得をdBで表す』という点では同じに見えるが、電力は電圧の2乗に比例するため、電圧の式には係数2が余分に付く(20 = 10×2)。この違いを覚えていないと式を取り違える。

    見破り方迷ったら『電力は電圧の2乗に比例する』という関係から導き直す。P∝V²なので dB = 10log₁₀(P₂/P₁) = 10log₁₀(V₂²/V₁²) = 20log₁₀(V₂/V₁) となり、電圧の係数が20になる理屈を確認する。

  3. 負帰還をかけると性能が全体的に向上すると誤解し、利得も上がると思い込む

    なぜ引っかかる『負帰還=性能改善』という結果だけを覚えていると、安定性が上がる代わりに利得は必ず下がるというトレードオフを忘れがちになる。

    見破り方負帰還は出力の一部を『逆位相』で入力に戻す仕組みだと思い出す。逆位相で戻す=入力を弱める方向に働くため、利得は必ず下がる。上がるのは安定性・直線性・帯域幅などの『質』の指標であって、利得という『量』ではない。

  4. 非反転増幅回路にも、反転増幅回路と同じAv=-Rf/Rinの式をそのまま当てはめてしまう

    なぜ引っかかる『オペアンプの利得=Rfと入力抵抗の比』という部分だけを覚えていると、+端子に信号を入れる非反転増幅回路でも、-端子に信号を入れる反転増幅回路と同じ式を使ってしまう。

    見破り方信号がオペアンプのどちらの端子(+か-か)に入っているかをまず確認する。-端子に入力信号があれば反転増幅(Av=-Rf/Rin)、+端子に入力信号があれば非反転増幅(Av=1+Rf/R1、必ず『+1』が付き、符号もマイナスにならない)と、入力端子の違いから式を選び直す。

  5. エミッタホロワ回路の入力インピーダンスを、単純にhieだけだと考えてしまう

    なぜ引っかかる『トランジスタの入力インピーダンスはhie』という基本共通エミッタ増幅回路のイメージだけで覚えていると、エミッタに抵抗REが入るエミッタホロワ回路でも同じhieがそのまま入力インピーダンスになると誤解しやすい。

    見破り方エミッタホロワは出力(エミッタ電圧)が入力(ベース電圧)にほぼ追従する(電圧利得≒1)ため、REを流れる電流(≒(1+hfe)ib)による電圧降下が、ベース側から見ると小さなib一つ分の変化に対して(1+hfe)倍に拡大されて働く、という電流帰還の効果を思い出す。入力インピーダンスはhieだけでなく、REの影響が(1+hfe)倍された分まで含めてhie+(1+hfe)REになる。

  6. シュミットトリガ回路を、負帰還を使う反転増幅回路と同じ『入力に比例した出力を返す』回路だと誤解する

    なぜ引っかかる負帰還付きのオペアンプ回路に慣れていると、オペアンプを使った回路はすべて線形(入力に比例した連続的な出力)だと思い込みやすい。しかしシュミットトリガ回路は帰還を+端子(非反転入力)に戻す正帰還を使っており、出力はしきい値を境に2つの状態のどちらかへ一気に切り替わる非線形な動作をする。

    見破り方帰還抵抗がオペアンプのどちらの入力端子に戻っているかをまず確認する。-端子(反転入力)への帰還なら負帰還=線形な増幅回路、+端子(非反転入力)への帰還なら正帰還=2値的なシュミットトリガ回路、と接続先の端子で判別する。

  7. バイアス回路の名前(固定・電流帰還・電圧帰還)を、回路図の抵抗の本数や見た目の複雑さだけで判断してしまう

    なぜ引っかかる抵抗が何本あるか、どこに配置されているかという見た目だけで名前を覚えようとすると、どの抵抗がhFEの変化を打ち消す負帰還の役割を果たしているかという、名前の由来そのものを見落としやすい。

    見破り方『hFEが増加してIcが増えようとしたとき、それを妨げる方向に電圧・電流が変化する経路が回路の中にあるか』をたどる。エミッタ抵抗REを経由していれば電流帰還バイアス、コレクタ-ベース間の抵抗を経由していれば電圧帰還バイアス、そのどちらの帰還経路もなければ固定バイアス、と帰還経路の有無・経由先で分類する。

  8. FETの増幅回路でも、BJTと同じくhFEのような『単位のない比』で電圧増幅度を計算しようとしてしまう

    なぜ引っかかるBJTのhFE=Ic/Ibという単位のない比に慣れていると、FETのgmも同じように単位のない量だと誤解しやすい。

    見破り方gmの単位がS(ジーメンス=A/V)であることを確認する。電流Id[A]をgm[S]倍しても電圧にはならないため、Av=gmRLのようにgmに抵抗RL[Ω]を掛けて初めて、単位が(A/V)×Ω=無次元(電圧÷電圧)になることを、単位の掛け算で検算する。

参考文献・出典

理解度チェック(15問)

このトピックの内容がどれくらい身についたか、15問で確認しよう。 内訳は基本7問・応用2問・ひっかけ6問。基本が解けたら、条件を足した応用と、本番で足をすくいにくるひっかけまで踏み込む。

/ 15 問正解

覚えておきたいポイント

  1. トランジスタは、ベース電流Ibのわずかな変化を、電流増幅率hFE倍したコレクタ電流Icの変化に拡大する(Ic = hFE × Ib)——これが増幅の正体
  2. 増幅度をデシベル(dB)で表すと、電圧利得は20log₁₀(Av)、電力利得は10log₁₀(Ap)。10倍の電圧増幅度はちょうど20dBに相当する
  3. 負帰還(NFB)をかけると利得は必ず下がるが、温度変化・部品ばらつきに対する安定性や直線性が向上する——オペアンプ回路のほぼすべてがこの仕組みを使う
  4. 理想オペアンプは「2つの入力端子の電位が等しくなる(仮想短絡)」「入力端子には電流が流れ込まない」という2つの仮想的な性質で動作を近似でき、反転増幅回路の利得はAv = -Rf/Rinで求まる
  5. 非反転増幅回路(+端子に信号を入れ、-端子とグラウンドの間にR1、-端子と出力の間にRfを接続する構成)の利得はAv = 1 + Rf/R1で求まる。反転増幅と異なり出力の位相は入力と同じ(反転しない)
  6. エミッタホロワ(コレクタ接地)回路は、出力をエミッタから取り出し電圧利得はほぼ1倍だが、交流等価回路でベースから見た入力インピーダンスはhie+(1+hfe)REとなり、hie単体よりはるかに大きくなる。この『高い入力インピーダンス』を利用して、信号源の負荷を増やさずに受け渡す緩衝(バッファ)回路として使われる
  7. オペアンプの出力の一部を反転入力(-端子)ではなく非反転入力(+端子)に戻す正帰還を使うと、シュミットトリガ回路(コンパレータの一種)になる。出力は入力に比例した連続的な値ではなく、0V付近とVcc付近の2つの状態のどちらかに張り付く(2値動作)。入力電圧が上昇していくときと下降していくときとで出力が切り替わるしきい値が異なる(ヒステリシス)ため、ノイズによる誤動作を防げる
  8. トランジスタ増幅回路のバイアス方式には、ベース抵抗1本だけでベース電流を決める固定バイアス、エミッタ抵抗REを追加して電流帰還をかける電流帰還(自己)バイアス、コレクタ-ベース間の抵抗で帰還をかける電圧帰還バイアスがある。周囲温度が上昇してhFEが増加したとき、帰還のない固定バイアスはコレクタ電流の変化を最も受けやすく(安定度が低い)、電流帰還・電圧帰還バイアスは負帰還によってコレクタ電流の変化が抑えられる(安定度が高い)
  9. FET増幅回路の増幅の大きさは、相互コンダクタンスgm(単位S、ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の比)で表す。ソース接地増幅回路の電圧増幅度は、rd(ドレイン側の内部抵抗)がRLより十分大きいときAv≒gmRL、無視できない場合はAv=gmrdRL/(rd+RL)で計算できる
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